Новый многобитовый «спин» для магнитной памяти с произвольным доступом
В журнале Applied Physics Letters от AIP Publishing, Франция-США. Исследовательская группа сообщает об интригующей новой парадигме многоразрядной памяти MRAM, которая может составить конкуренцию флеш-памяти.
Повышение плотности запоминающих устройств весьма желательно и может быть достигнуто с помощью различных методов. …
Новый многобитовый «спин» для магнитной памяти с произвольным доступомПодробнее »