В журнале Applied Physics Letters от AIP Publishing, Франция-США. Исследовательская группа сообщает об интригующей новой парадигме многоразрядной памяти MRAM, которая может составить конкуренцию флеш-памяти.
Повышение плотности запоминающих устройств весьма желательно и может быть достигнуто с помощью различных методов. Один из способов — уменьшить размеры рисунка, что приводит к увеличению количества ячеек памяти на единицу поверхности.
Другой подход включает увеличение емкости хранения каждой отдельной ячейки — так называемое «многобитовое хранилище».«Многобитовая память обычно достигается в технологии MRAM путем измерения нескольких уровней напряжения, соответствующих различным магнитным конфигурациям», — пояснил Квентин Стейнер, ведущий автор статьи и доктор философии. студент SPINTEC / CEA, научно-исследовательского института электроники и информационных технологий, расположенного в Гренобле, Франция, а также аффилированного с Crocus Technology, фирмой из Франции и США, которая разрабатывает магнитно-усиленные полупроводниковые технологии.
В основе работы команды лежит запатентованная Crocus Technology технология Magnetic Logic Unit (MLU), которая позволяет исследователям удаленно управлять датчиком для проверки этих конфигураций. «Идентифицируя ключевые характеристики получаемых нами электрических откликов, обычно известных как« точки экстремумов », мы можем сделать вывод о сохраненной информации», — сказал Стейнер.Изюминкой их работы была «недвусмысленная демонстрация осуществимости нашего метода с целыми 3 битами на элементарную ячейку, а в последнее время до 4 бит, полученными на устройствах шириной 110 нанометров», — отметил он.
Также стоит отметить, что, по словам команды, их парадигма хранения должна обеспечивать повышенную надежность и устойчивость к изменчивости процессов, что упростит производство устройств на основе этой технологии для промышленных приложений.«Наша работа позволит разрабатывать продукты для широкого спектра приложений, включая, помимо прочего, безопасное хранилище данных для подключенных устройств, таких как смарт-карты, память с адресной адресацией для интернет-маршрутизаторов, а также высокопроизводительные, память с высокой плотностью и высокой температурой ", — сказал Стейнер.
Следующий шаг команды? Разработка полнофункциональной многобитовой памяти MLU для дальнейшей демонстрации промышленной жизнеспособности их парадигмы хранения. «Новые парадигмы памяти, основанные на этой работе, также находятся в стадии разработки — с потенциальной многоразрядной емкостью до 8 бит на одну ячейку», — добавил он.