Этот процесс открывает путь для производства больших пластин глубиной около 1,5 нанометра (для сравнения, лист бумаги имеет толщину 100 000 нм).Другие методы оказались ненадежными с точки зрения качества, их трудно масштабировать и они работают только при очень высоких температурах — 550 градусов и более.Выдающийся профессор Курош Калантар-заде из инженерной школы Университета RMIT в Мельбурне, Австралия, возглавил проект, в который также входили коллеги из RMIT и исследователи из CSIRO, Университета Монаша, Университета штата Северная Каролина и Калифорнийского университета.
Он сказал, что электронная промышленность натолкнулась на препятствие.«Фундаментальная технология автомобильных двигателей не развивалась с 1920 года, и сейчас то же самое происходит с электроникой. Мобильные телефоны и компьютеры не более мощные, чем пять лет назад.
«Вот почему эта новая технология 2D-печати так важна — создание множества слоев невероятно тонких электронных чипов на одной и той же поверхности резко увеличивает вычислительную мощность и снижает затраты.«Это позволит совершить следующую революцию в электронике».Бенджамин Кэри, исследователь из RMIT и CSIRO, сказал, что создание электронных пластин толщиной всего в атомы может преодолеть ограничения текущего производства чипов.Он также мог производить материалы, которые были чрезвычайно гибкими, открывая путь для гибкой электроники.
«Однако ни одна из современных технологий не способна создать однородные поверхности атомарно тонких полупроводников на больших площадях, которые можно использовать для изготовления микросхем в промышленных масштабах.«Наше решение — использовать металлы галлий и индий, которые имеют низкую температуру плавления.
«Эти металлы образуют на своей поверхности атомарно тонкий слой оксида, который естественным образом защищает их. Именно этот тонкий оксид мы используем в нашем методе изготовления.«Прокатывая жидкий металл, оксидный слой может быть перенесен на электронную пластину, которая затем сульфируется. Поверхность пластины может быть предварительно обработана для образования отдельных транзисторов.
«Мы использовали этот новый метод для создания транзисторов и фотодетекторов с очень высоким коэффициентом усиления и очень высокой производственной надежностью в больших масштабах».