Микросхема «50-50»: запоминающее устройство будущего? Материал, изготовленный из алюминия и сурьмы, является многообещающим для устройств хранения данных следующего поколения.
Память с фазовым переходом активно рассматривается как альтернатива повсеместной флэш-памяти для приложений хранения данных, поскольку флэш-память ограничена по плотности хранения, а память с фазовым переходом может работать намного быстрее.Память с фазовым переходом основана на материалах, которые меняют свою неупорядоченную аморфную структуру на кристаллическую при приложении электрического импульса. …