Эйнштейн в кристалле железа

Крошечные релятивистские эффекты составляют основу функциональных возможностей современных технологий, примером чему служат магнитные жесткие диски и носители данных. Теперь впервые ученые непосредственно наблюдали особенности электронной структуры, которые ранее не могли быть замечены.

Фотоэмиссионная спектроскопия с угловым разрешением позволила ученым из Forschungszentrum Julich и LMU Munich непосредственно визуализировать образование сдвигов в полосовой структуре (запрещенных зон) образца прототипного магнитного материала в ответ на изменение направления магнитного поля. Эти промежутки в энергетических уровнях электронов в образце железа возникают в соответствии с теорией относительности Эйнштейна, поскольку электроны, протекающие через образец кристалла, могут «ощущать» направление магнитного поля.


Оставьте комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *