Физики и химики работают над улучшением технологии цифровой памяти
Соответственно, группа исследователей из UNL использовала материал, удостоенный Нобелевской премии, и обычную бытовую химию для улучшения свойств компонента, предназначенного для следующего поколения высокоскоростной оперативной памяти большой емкости.Команда, опубликовавшая свои выводы в выпуске журнала Nature Communications от 24 ноября, разработала и протестировала улучшения производительности структуры памяти, известной как сегнетоэлектрический туннельный переход. …
Физики и химики работают над улучшением технологии цифровой памятиПодробнее »
