Исследование оптической и электрической бистабильности проливает свет на высокоскоростную передачу данных нового поколения
На этой неделе в Журнале прикладной физики от AIP Publishing группа исследователей из Университета Иллинойса в Урбана-Шампейн представила свои выводы относительно оптической и электрической бистабильности одиночного транзистора, работающего при комнатной температуре.До этой работы квантовые ямы были встроены рядом с коллектором в базу биполярного транзистора с гетеропереходом III-V, что привело к значительному сокращению срока службы устройства при радиационной спонтанной рекомбинации. …